Nanoelektron asboblar va funksional materiallarni modellashtirish ilmiy laboratoriyasi
Yarimo‘tkazgich va nanoelektron qurilmalar hamda 2D va funksional materiallarni kompyuter yordamida modellashtirish, fizik tahlil qilish va optimallashtirish bilan shug‘ullanuvchi hisoblash-tadqiqot laboratoriyasi. Biz real tajribaga qadar — virtual tajriba o‘tkazamiz.
Laboratoriya Haqida
Laboratoriya Urganch davlat universiteti rektorining 2026-yil 3-fevraldagi 47-sonli buyrug‘i va Universitet Kengashining 2026-yil 30-yanvardagi 6-sonli qarori bilan tashkil etilgan.
Laboratoriyaning asosiy vazifasi — nanoelektron asboblar va funksional materiallarning fizik jarayonlarini hisoblash usullari (TCAD, DFT, FEM) yordamida modellashtirish, ularning elektr, optik va issiqlik xossalarini oldindan bashorat qilish hamda qurilma parametrlarini optimallashtirishdir.
Fundamental Tadqiqotlar
Materiallar va qurilmalardagi fizik jarayonlarning nazariy-hisobiy tahlili.
Amaliy Modellashtirish
Konkret qurilma yoki material uchun raqamli model qurish va parametrik tadqiqot.
Ilmiy va Ta'limiy Ko'mak
Magistrant, doktorant va tadqiqotchilarga hisoblash tajribalarini o‘tkazishda metodik yordam.
Laboratoriya Tashkiliy Tuzilmasi va Xodimlar
12 nafar mutaxassisAtamuratov Atabek Egamberdiyevich
Laboratoriya mudiri, "Fizika" kafedrasi professori (Fizika-matematika fanlari doktori, Professor)
1-Sektor: DFT, 2D va funksional materiallar
5 xodim
Xalilloyev Mahkam Muxammadsharifovich
DFT, 2D va funksional materiallar sektori rahbari, Dotsent
Saparov Xushnudbek Sharipboyevich
DFT, 2D va funksional materiallar katta ilmiy xodimi, Dotsent
Jabbarova Bahor Olimboyevna
DFT, 2D va funksional materiallar kichik ilmiy xodimi, Katta o'qituvchi
Hasanov Asrorbek Qudrat o‘g‘li
DFT, 2D va funksional materiallar kichik ilmiy xodimi
Ismoilov Doniyorbek Quvondiq o‘g‘li
DFT, 2D va funksional materiallar laboranti
2-Sektor: Nanoelektronika va TCAD
6 xodim
Abdukarimov Azamat Egamberganovich
Nanoelektronika va TCAD modellashtirish sektori rahbari, Dotsent
Atamuratova Zuhra Atabekovna
Nanoelektronika va TCAD modellashtirish katta ilmiy xodimi
Jumaboyev Bexzod Quronboy o‘g‘li
Nanoelektronika va TCAD modellashtirish kichik ilmiy xodimi, Katta o'qituvchi
Xaitbayev Eldorbek Shakir o‘g‘li
Nanoelektronika va TCAD modellashtirish kichik ilmiy xodimi
Rajapov Dilshodbek Ravshanbek o‘g‘li
Nanoelektronika va TCAD modellashtirish kichik ilmiy xodimi
Eshimetova Shahnoza Oybek qizi
Nanoelektronika va TCAD modellashtirish laboranti
Asosiy Ilmiy Yo‘nalishlar
TCAD Modellashtirish
MOSFET, FinFET, GAA/nanosheet va nanowire FET, CMOS strukturalari hamda diodlarning to‘liq fizik modellarini qurish.
Elektrofizik Xarakteristikalar
I–V va C–V xarakteristikalar, chegaraviy kuchlanish (Vth), subthreshold swing va sizib chiqish tokini (leakage) hisoblash.
2D va Funksional Materiallar (DFT)
Grafen, MoS₂, WS₂, h-BN va qatlamli materiallarning elektron tuzilishi, band strukturasi va holatlar zichligini hisoblash.
Interfeyslar Tadqiqoti
Si/SiO₂ va high-k dielektriklar chegarasidagi tutqich holatlar (interface traps), zaryad taqsimoti va band alignment.
Issiqlik va Self-Heating
Nanoo‘lchamli qurilmalarda issiqlik ajralishi, Joule isishi va elektrotermik bog‘lanishlarni multifizik modellashtirish.
Sensor va Biosensor Modellari
Gaz, harorat, bosim va biosensorlarning sezgirlik mexanizmlari hamda materialini hisobiy tanlash.
Memristor va Yangi Avlod Xotira
Rezistiv xotira (RRAM), memristor strukturalari va nostandart xotira elementlarining fizik modellari.
Optimallashtirish va Parametrik Tadqiqot
Geometrik va texnologik parametrlarning qurilma xarakteristikalariga ta’sirini o‘rganish va optimal konfiguratsiya.
Modellashtirish Imkoniyatlari (Texnik Quvvat)
TCAD — Qurilma Darajasi
2D/3D qurilma strukturasini qurish, legirlash profillarini berish, drift-diffuziya va kvant tuzatishli modellar.
DFT — Atom Darajasi
Geometrik optimallashtirish, elektron tuzilish, energetik hisoblar, defektlar va adsorbsiya jarayonlari.
FEM — Fizik Maydonlar
Elektr maydon, issiqlik o‘tkazuvchanlik, elektrotermik masalalar va bog‘langan (coupled) fizik jarayonlar.
Data Analysis & Optimization
Parametrik skan, ma’lumotlarni qayta ishlash, vizualizatsiya va nashrga tayyor grafiklar.
Ilmiy va Texnik Xizmatlar
Laboratoriya tashqi tadqiqotchilar, OTMlar, ilmiy institutlar va sanoat tashkilotlariga hisoblash-modellashtirish xizmatlarini ko‘rsatadi. Har bir xizmat bo'yicha onlayn buyurtma berishingiz mumkin.
TCAD Modellashtirish
Yarimo‘tkazgich va nanoelektron qurilmalarning to‘liq fizik modelini qurish va ularning elektr xarakteristikalarini hisoblash.
DFT Kvant-Mexanik Modellashtirish
Materiallarning atom-elektron darajasidagi xossalarini birinchi prinsiplar asosida hisoblash (Band structure, DOS).
Multifizik va Issiqlik Modellashtirish (FEM)
Qurilma va strukturalardagi elektr maydon, Joule isishi va harorat tarqalishini bog‘langan holda hisoblash.
Qurilma Parametrlarini Optimallashtirish
Gate uzunligi, oksid qalinligi va legirlash parametrlarining Ion/Ioff nisbatiga ta'sirini tizimli o'rganish.
Raqamli (Virtual) Eksperiment
Real namuna tayyorlashdan oldin butun tadqiqotni raqamli muhitda to'liq simulyatsiya qilish imkoniyati.
Ilmiy Tadqiqotlar Uchun Hisoblash Ko'magi
Magistrantlar, PhD va DSc tadqiqotchilari uchun hisoblash metodikasini shakllantirish va natijalarni tahlil qilish.
Modellashtirish Jarayoni (Workflow)
Dasturiy Platformalar
- Synopsys Sentaurus TCAD — 2D/3D qurilma simulyatsiyasi
- QuantumATK — DFT & Atomistik modellashtirish
- COMSOL Multiphysics — FEM Multifizik va issiqlik
- Quantum ESPRESSO — Kvant-mexanik hisoblar
Hisoblash Infratuzilmasi
- Yuqori Unumdorlikdagi Ish Stansiyalari — HPC Nodes
- Ko'p Yadroli Protsessorlar — High Parallel Processing
- Kengaytirilgan Operativ Xotira — High RAM Nodes
- Litsenziya Serveri — Ko'p foydalanuvchili kirish
Tez-tez Beriladigan Savollar (FAQ)
Laboratoriyaga kim murojaat qilishi mumkin?
Universitet ichidagi va tashqi tadqiqotchilar, magistrantlar, doktorantlar, ilmiy muassasalar hamda sanoat tashkilotlari.
Menda tayyor eksperimental natijalar bor, ularni modellashtirish bilan solishtira olasizmi?
Ha. Eksperimental ma’lumotlar asosida modelni kalibrlash va taqqoslash — bizning muntazam ish turlarimizdan biri.
Natija qanday ko‘rinishda beriladi?
Hisoblash natijalari, nashr sifatidagi grafiklar, parametrlar jadvali, model fayllari va yozma texnik xulosa.
Ma’lumotlarim maxfiy saqlanadimi?
Ha, buyurtmachi talab qilsa, ish maxfiylik shartnomasi (NDA) asosida bajariladi.
Laboratoriyaning Ilmiy Maqolalari va Nashrlari
57 ta Scopus / WoS maqolaFirst-Principles Investigation of The Electronic Properties of Monolayer MoS₂ Using DFT-Based QuantumATK Simulations
In this work, the electronic properties of monolayer molybdenum disulfide (MoS2) were investigated using density functional theory (DFT) within the QuantumATK simulation environment. The band structure and density of st…
Electric conductivity of cotton and its dependence on fiber quality
Theoretical Analysis of Charge Transfer and Work Function Modulation at MoS₂/Graphene Heterointerface
Two-dimensional (2D) heterostructures composed of transition metal dichalcogenides (TMDs) and graphene have attracted significant attention due to their unique charge transport and interfacial properties. In this work, …
Comprehensive Numerical Modeling of Silicon Tunnel Junction for Application in Multijunction Monolithic Solar Cells
Effect of Gate Oxide and Back Oxide Materials on Self-Heating Effect in FinFET
The self-heating effect on the fin field effect transistor (FinFET) is investigated. The dependence of the lattice temperature in the channel center of the transistor on the thickness of the gate oxide, as well as the b…
Impacts of Local Oxide Trapped Charge on Electrical and Capacitance Characteristics of SOI FinFet
In this work, the influence of the local oxide trapped charge on the transfer Id-Vg characteristics and capacitance of the gatetoI. INTRODUCTION source (drain) connection of the silicon-on-insulator (SOI) structure-base…